Китай не собирается сдаваться на рынке памяти

Китай является крупнейшим импортёром чипов памяти и при этом активно наращивает свои амбиции в качестве самостоятельного производителя. Недавние санкции США против производителя DRAM-памяти Fujian Jinhua Integrated Circuit Company, основанного при активной поддержке властей Китая, а также продолжающаяся напряжённость в торговле между США и Китаем замедлят темпы развития местного сектора чипов памяти.

Samsung и SK Hynix продолжают расширять свой технологический разрыв с конкурентами в сегменте DRAM, Samsung уже разрабатывает чипы LPDDR5 класса 10 нм, а SK Hynix представила первую в отрасли память DDR5, которая полностью соответствует стандартам JEDEC.

Согласно данным DRAMeXchange, доля Samsung и SK Hynix на мировом рынке DRAM достигла 74,6 % в третьем квартале 2018 года, а за ними следует американская Micron Technology с долей в 21,1 %.

По мнению исполнительного директора Powerchip Technology Фрэнка Хуанга, эскалация напряжённости в торговле между США и Китаем приведёт к замедлению развития китайской полупроводниковой промышленности в целом. Запрет США на экспорт для Fujian Jinhua, обвиняемой вместе с UMC в краже коммерческих тайн Micron, является серьёзным препятствием на пути развития сектора памяти Китая. Первоначально Fujian Jinhua планировала приступить к производству DRAM первого поколения по технологии 3X-нм в конце 2018 года, но теперь деятельность компании переживает этап неопределённости.

Ситуация может ещё сильнее подтолкнуть китайское правительство к активным действиям по развитию местных высокотехнологичных отраслей промышленности, чтобы повысить самостоятельность страны.

Две других китайских компании – YMTC и Innotron Memory – готовятся к началу коммерческого производства в 2019 году, что станет значительным прогрессом Китая в области DRAM. YMTC приступила к поставке образцов своего 64-слойного 3D-NAND-чипа, а массовое производство, вероятно, начнётся в третьем квартале 2019 года. В 2020 году компания планирует перейти к массовому производству уже 128-слойной памяти.

Источник