
Imec представил технологию, которая вдвое увеличит плотность размещения транзисторов
Imec продолжает радовать разработками, открывающими путь к производству полупроводников с нормами менее 5–3 нм. Среди прочих докладов на симпозиуме VLSI Technology 2018 разработчики центра рассказали о найденной серии технологических цепочек, которая позволит выпускать комплиментарные пары полевых транзисторов с использованием технологических норм менее 3 нм (complementary FET, CFET).
Процесс производства CFET по энергоэффективности и производительности транзисторов может в итоге превзойти техпроцесс FinFET применительно к технологическим нормам 3 нм. Более того, техпроцесс CFET открывает возможность уменьшить на 50% размеры как стандартных (цифровых) ячеек, так и ячеек памяти SRAM.
Напомним, что на использовании комплиментарных пар транзисторов базируются классические КМОП (CMOS) техпроцессы производства микросхем.
Это транзисторы с разным типом проводимости (n и p), но идентичные или почти идентичные по параметрам.
Разработчики Imec внесли смелое предложение создавать на кристалле комплиментарные транзисторы не рядом, а друг над другом.
В предложенной Imec цепочке операций по обработке кремниевой пластины полевой транзистор n-типа (nFET) располагается над полевым транзистором p-типа (pFET).
![]() |
- Как осуществляется доставка бетона на строительный объект
- Aviator oyununu digər crash oyunları ilə müqayisə edirik: üstünlüklər və mənfi cəhətlər
- Смыслы снов о новых домах в новостройках
- Патент на сдачу квартиры в аренду - как его купить
- Когда можно сделать налоговый вычет за квартиру в ипотеку в новостройке






30.06.2018 1:35 | Светлана Любкина